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碳化硅微粉的提純方式

點(diǎn)擊次數(shù):   更新時(shí)間:18/01/23 10:04:01     來源:xbyw.com.cn 分    享:

使用商業(yè)碳化硅爐有時(shí)可以生長(zhǎng)出大的半導(dǎo)體碳化硅晶體。然后最近以實(shí)驗(yàn)室規(guī)模成功地合成了這種晶體材料。今天小編為大家介紹的是碳化硅微粉的提純方式:
  生長(zhǎng)在石墨坩堝內(nèi)部的空心圓柱體中的碳化硅晶片是在碳管爐內(nèi)加熱到2500℃以上制成的,溫度的安排是要使得碳化硅圓柱體的中心溫度較外部為低。向里 面擴(kuò)散的碳化硅蒸汽因而變得過飽和,并且在圓柱體的中心冷凝下來形成單晶體??梢栽诠ぷ鳉庵幸肽撤N雜質(zhì)以改變生長(zhǎng)的晶體的成分。